mosfet vb2355 sot-23 de efecto de campo de tubo p—canal -30v -5.6 un vbsemi semiconductores discretos transistores

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número de e/s 54 programa de memoria tamaño de memoria de programa tipo flash eeprom tamaño de 1k x 8 tamaño de la memoria ram 3.8 k x 8 voltaje de alimentación (vcc/vdd) 4.2 v ~ 5.5 v datos de los convertidores a/d 12x10b tipo de oscilador interno de temperatura de funcionamiento de -40°c ~ 85°c (ta) tipo de montaje montaje en superficie paquete / caso de 64-tqfp proveedor del paquete del dispositivo de 64-tqfp (10x10) de la base número

9a 300w dc step down converter los parámetros del módulo: ● módulo de la naturaleza: no aislado paso de corriente constante y voltaje constante (módulo de cc cv) módulo de carga ● alcance aplicable: led de alta potencia constante unidad actual, batería de litio de carga (incluidos los ferroeléctricos), 4v, 6v, 12v, 14v, 24v carga de la batería de níquel cadmio de níquel pila de combustible de hidrógeno (batería)

acerca de nosotros nosotros se especializan en la operación de igbt de los módulos de potencia, nueva energía fotovoltaica módulos de seguridad de las tuberías, los fusibles, los tiristores, los programadores de plc, servidores, los transistores.el inversor, la placa de accionamiento, inversor de control industrial productos.circuito integrado de los componentes encajan en una one-stop manera nuestras

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estado del producto activo fet tipo de canal n la tecnología mosfet (metal oxide) tubo de drenaje a la fuente de voltaje (vdss) 200 v la corriente continua de drenaje (id) @ 25°c 44a (tc) voltaje de la unidad (max rds, min rds) 10v rds (max) @ id, vgs 55mohm @ 26a, 10v vgs(th) (max) @ id 5.5 v @ 250µa la puerta de carga (qg) (max) @ vgs 140 nc @ 10 v vgs (max) ±30v entrada