La corriente de Fuga (ES(off)) (Max): NA
GPIO: 8
Tensión De Alimentación - Interna: NA
Relación De Transferencia De Corriente (Min): 120mA
Escritura De La Memoria: NA
Tipo de: circuito integrado
La corriente LED del Disparador (Ift) (Max): NA
La Corriente De Salida De Alta Y Baja: NA
Impedancia: NA
Número De Modelo: NCV317LBDR2G
De Potencia De Salida: 20dBm 20dBm
marca: Original
Tiempo de siembra: 3-estancia 5day
Tipo De Montaje: Montaje En Superficie
Tipo De Entrada: NA
Tipo De Salida: NA
Voltaje De La Fuente (Min): ESTÁNDAR
Tensión De Ruptura: ESTÁNDAR
Número De Pieza Del Fabricante: NCV317LBDR2G
Referencia Cruzada: NA
FET Tipo: ESTÁNDAR
Actual - En Estado ((RMS)) (Max): NA
De Alimentación Aislada: NA
Voltaje De Salida (Máx.): NA
La modulación o el Protocolo: NA
Bandas De Frecuencia (Baja, Alta): NA
Modulación: NA
Voltaje hacia Adelante (Vf) (tipo): NA
Impedancia - UnbalancedBalanced: NA
LO de la Frecuencia: NA
Especificaciones: NA
Frecuencia De Conmutación De: ESTÁNDAR
Frecuencia: ESTÁNDAR
Estática dVdt (Min): NA
La función: NA
Aplicaciones: ESTÁNDAR
Actual De Suministro De: ESTÁNDAR
Actual - Canal De Salida: ESTÁNDAR
Tipo De Memoria: NA
Corriente De Salida (Max): ESTÁNDAR
Voltaje De Alimentación (Máx.): ESTÁNDAR
Rango De Entrada: NA
Nombre De La Marca: Original
Normas: NA
Potencia (Vatios): ESTÁNDAR
El Tamaño De La Dimensión: NA
La tolerancia: NA
Origen: China Continental
La frecuencia de Corte o Centro de: NA
Estilo: NA
Voltaje De Salida: ESTÁNDAR
Relación De Transferencia De Corriente (Máx.): 170mA
Voltaje De Estado Desactivado: NA
Actual - DC Adelante (Si) (Max): NA
protocolo de: 80211bgn 80211bgn
El Tamaño De La Memoria: NA
Potencia De Salida: NA
La Corriente Pico De Salida: NA
Frecuencia - Max: NA
Frecuencia del RF: NA
dirección de entrega: Shenzhen
Interfaz: NA
Potencia Máxima: NA
Resistencia (Ohmios): NA
Utilizado IC Parte: NA
Voltaje De Aislamiento: NA
Descripción: ESTÁNDAR
Lugar De Origen: Guangdong China